类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：35A（Tc=25°C）
　　最大漏-源电压（VDS）：250V
　　栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.13Ω（典型值）
　　最大功耗（PD）：250W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247

IXTH35N25 的核心优势在于其出色的导通性能和高耐压能力。其低导通电阻（RDS(on)）确保在高负载条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高系统整体效率。此外，该 MOSFET 具有良好的热稳定性，即使在高温环境下也能维持稳定的性能，有助于延长器件的使用寿命。该器件采用 TO-247 封装，具备良好的散热性能，适用于需要高功率密度和高效能的电源设计。
　　另一个显著特点是其高可靠性设计。IXTH35N25 采用了先进的硅技术，具有较高的雪崩能量承受能力，使其在突发负载或短路情况下仍能保持稳定运行。这种特性使其非常适合用于工业电机控制、逆变器、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器等关键应用。
　　在驱动方面，该 MOSFET 的栅极电荷较低，响应速度快，适合高频开关应用，有助于减少开关损耗并提升系统效率。同时，其栅极驱动电压范围较宽（通常为 10V 至 20V），兼容多种常见的驱动电路设计。

IXTH35N25 广泛应用于多种高功率电子系统中，包括但不限于：
　　? 工业自动化与电机控制：作为主开关元件，用于控制高功率电机的运行，提供高效能和稳定性能。
　　? 电源转换系统：如 DC-DC 转换器、AC-DC 电源模块等，用于提高转换效率并减小系统体积。
　　? 新能源领域：如太阳能逆变器、储能系统等，用于实现高效的能量转换和管理。
　　? 电动汽车相关设备：用于车载充电器、DC-AC 逆变器等，支持高效率的能量传输。
　　? 不间断电源（UPS）：用于确保在电源中断时仍能提供稳定电力输出。

IXTH35N25 可以被以下型号替代：IRFP460、IXTH32N25、IXTH38N25、FDPF4N250、FDPF12N250。