您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IXTH34N65X2

IXTH34N65X2 发布时间 时间:2025/8/6 10:47:22 查看 阅读:11

IXTH34N65X2 是一款由 Littelfuse 生产的高电压、高电流 N 沟道功率 MOSFET,采用 TO-247 封装。该器件专为高功率应用而设计,适用于工业电源、电机控制、开关电源(SMPS)、逆变器和电源转换系统等领域。IXTH34N65X2 具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热性能,能够在高电压和高电流条件下稳定运行。

参数

类型:N 沟道功率 MOSFET
  封装:TO-247
  漏极电流(Id):34A(最大)
  漏极-源极击穿电压(Vds):650V(最大)
  栅极-源极电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):最大为 150mΩ
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  功率耗散(Ptot):250W(最大)
  漏极-源极电容(Coss):约 1200pF
  栅极电荷(Qg):约 60nC

特性

IXTH34N65X2 具备多项优异的电气和热性能,使其适用于高功率密度设计。该器件的高击穿电压(650V)确保其在高压系统中具有出色的稳定性和可靠性。其低导通电阻(Rds(on))为 150mΩ,有助于减少导通损耗,提高系统效率。此外,IXTH34N65X2 的热阻较低,能够在高功率操作条件下有效散热,避免过热损坏。
  该 MOSFET 采用先进的平面工艺制造,提供出色的短路和过载能力,适用于严苛的工作环境。TO-247 封装设计提供了良好的散热路径,同时具备良好的焊接可靠性和机械稳定性。该器件还具备快速开关能力,适用于高频开关电源和电机驱动应用。
  此外,IXTH34N65X2 具有低栅极电荷(Qg),有助于减少开关损耗,提高开关速度。其漏极-源极电容(Coss)较低,有助于减少高频操作下的动态损耗。整体而言,该器件在高电压、高电流应用中提供了优异的性能和可靠性。

应用

IXTH34N65X2 广泛应用于高功率电源转换系统,如开关电源(SMPS)、工业电机控制、UPS(不间断电源)、DC-AC 逆变器、太阳能逆变器和电池管理系统等。其高耐压能力和低导通电阻使其成为高压直流电源转换和电机驱动应用的理想选择。此外,该器件还可用于高频功率转换器、功率因数校正(PFC)电路以及各种工业自动化和电力电子设备。

替代型号

IXTH34N65X2 可以被 IXTH34N65X2ST、IXTH34N65X2M、STP34N65M5、IRFP4668 等型号替代,具体替代方案需根据电路设计和散热条件进行评估。

IXTH34N65X2推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IXTH34N65X2资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IXTH34N65X2参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥59.15000管件
  • 系列Ultra X2
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)34A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)105 毫欧 @ 17A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 4mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)53 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3120 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)540W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247(IXTH)
  • 封装/外壳TO-247-3