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IXTH2N150 发布时间 时间:2025/8/6 3:18:06 查看 阅读:17

IXTH2N150是一款由Littelfuse(原IXYS公司)制造的高功率双极型晶体管(BJT),属于高压大电流晶体管类别。该器件主要用于高功率开关和放大应用,能够承受较大的电流和电压,适用于电源、工业控制、马达驱动和电力电子转换系统等场合。IXTH2N150采用TO-247封装形式,具有良好的散热性能,能够在高温环境下稳定工作。

参数

类型:NPN双极型晶体管(BJT)
  最大集电极-发射极电压(VCEO):1500V
  最大集电极电流(IC):2A
  最大功耗(PD):100W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  存储温度范围:-55°C至+150°C
  电流增益(hFE):在IC=200mA时,典型值为30至120(根据档位不同)
  过渡频率(fT):4MHz
  封装形式:TO-247

特性

IXTH2N150具有优异的高压和大电流承受能力,适用于高功率和高压环境下的开关和放大操作。其主要特性包括:
  ? 高耐压能力:最大集电极-发射极电压(VCEO)可达1500V,使其适用于高电压应用,如高压电源和工业控制系统。
  ? 适度的电流承载能力:最大集电极电流为2A,适合中等功率的开关和放大电路。
  ? 高功率耗散:最大功耗为100W,结合TO-247封装的散热能力,确保器件在高温下仍能稳定运行。
  ? 优异的热稳定性:该晶体管的热阻较低,能够有效散热,延长使用寿命并提高可靠性。
  ? 宽温度范围:可在-55°C至+150°C的温度范围内正常工作,适用于严苛的工业环境。
  ? 电流增益可调:根据hFE的不同档位选择,用户可以在不同的应用场景中灵活使用,提高电路设计的灵活性。
  ? 高频特性:过渡频率(fT)为4MHz,适合中高频放大和开关应用,提供良好的响应特性。
  此外,该晶体管还具有良好的抗二次击穿能力和较高的可靠性,能够在复杂电路环境中稳定工作。

应用

IXTH2N150适用于多种高功率和高压电子系统,常见的应用包括:
  ? 高压电源系统:用于高压直流电源、开关电源和电源管理模块,提供稳定的开关控制。
  ? 工业控制系统:在工业自动化设备中作为高压开关或放大器,控制电机、继电器或其他执行机构。
  ? 马达驱动电路:用于直流马达控制电路,提供高效的功率放大和开关控制。
  ? 电力电子转换系统:如逆变器、整流器和斩波器电路,用于能量转换和调节。
  ? 测试和测量设备:用于高压测试设备和信号放大电路中,提供高精度和稳定性。
  ? 高压放大器:在音频放大器或其他高压放大应用中作为输出级,提供高电压和电流驱动能力。
  ? 电力电子保护电路:用于过压保护、过流保护等安全控制电路中。

替代型号

IXTH2N150P, IXTH2N150HV, IXTH2N120

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IXTH2N150产品

IXTH2N150参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格30 : ¥87.76433管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)1500 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)9.2 欧姆 @ 500mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)28 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)830 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)170W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247(IXTH)
  • 封装/外壳TO-247-3