IXTH26N60P 时间：2025/8/6 12:45:43 阅读：20

IXTH26N60P 是一款由 Littelfuse（原 International Rectifier，简称 IR）生产的高电压 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用先进的平面技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）和高雪崩能量耐受能力，适用于各种高电压和高功率应用。IXTH26N60P 采用 TO-247 封装，具备良好的热性能和可靠性，适用于需要高效率和高稳定性的电源系统。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600 V
　　漏极电流（ID）：26 A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.21 Ω（最大）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：4 V @ 250 μA
　　最大工作温度：150°C
　　封装形式：TO-247

特性

IXTH26N60P 具有多个关键特性，使其适用于高电压和高功率应用场景。首先，其低导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。其次，该器件具备高雪崩能量耐受能力，能够在过载或瞬态条件下保持稳定运行，提高了系统的可靠性和耐用性。
　　此外，IXTH26N60P 的 TO-247 封装设计提供了良好的散热性能，有助于在高功率应用中有效管理热量。其栅极驱动电压范围较宽，通常为 10V 至 20V，使得其适用于多种驱动电路设计。该 MOSFET 还具备快速开关特性，有助于降低开关损耗并提高响应速度。
　　在热稳定性方面，IXTH26N60P 的热阻（RθJC）较低，确保了在高电流条件下的稳定工作。同时，其封装设计符合 RoHS 标准，符合现代电子制造对环保的要求。

应用

IXTH26N60P 广泛应用于多种高电压和高功率电子系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、UPS（不间断电源）系统、光伏逆变器以及工业自动化设备中的功率控制电路。
　　在开关电源中，IXTH26N60P 可作为主功率开关，提供高效的能量转换，适用于 AC-DC 和 DC-DC 拓扑结构。在电机驱动系统中，该器件可用于 H 桥配置，实现电机的双向控制和高效运行。在光伏逆变器中，IXTH26N60P 可用于 DC-AC 转换电路，提高系统的整体效率和稳定性。
　　此外，该 MOSFET 还适用于高功率 LED 驱动器、电池充电器以及各种工业控制设备中的功率调节模块。