IDH20G65C6 时间：2025/4/27 17:03:48 阅读：3

IDH20G65C6是一款基于硅技术的高压、高功率绝缘栅双极晶体管（IGBT），适用于工业控制、电机驱动、逆变器和电源转换等应用领域。这款IGBT具有优化的芯片设计，能够提供低导通压降和快速开关性能，从而实现高效的功率转换。此外，该器件采用了TO-247封装形式，便于散热管理并支持高电流操作。

参数

集电极-发射极饱和电压：1.7V@10A,25°C
　　关断时间：95ns
　　开通时间：75ns
　　最大集电极电流：20A
　　最高工作电压：650V
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　热阻（结到壳）：1.2K/W

特性

IDH20G65C6采用先进的IGBT制造工艺，确保了其在高频开关条件下的卓越性能。
　　1. 低开关损耗：通过优化的栅极结构设计，有效降低器件的开关损耗，提高整体效率：具备短路耐受能力，并经过严格的筛选测试，保证长期使用的稳定性。
　　3. 快速开关速度：得益于改进的内部布局设计，可以实现更快的开关切换，减少开关过程中的能量损失。
　　4. 强大的电流承载能力：能够处理高达20A的持续电流，适合大功率应用场景。
　　5. 良好的热性能：较低的热阻值有助于将热量更有效地散发出去，延长使用寿命。

应用

该IGBT芯片广泛应用于多种需要高效功率转换的场景，例如：
　　1. 工业电机驱动：为各种类型的电机提供精确且高效的功率调节。
　　2. 不间断电源（UPS）：用于保障关键设备的稳定运行，尤其是在电力供应不稳定的环境中。
　　3. 新能源发电系统：如太阳能逆变器中，用于将直流电转化为交流电以接入电网。
　　4. 电动汽车牵引逆变器：作为核心功率器件，帮助实现车辆的动力输出控制。
　　5. 焊接设备：提供稳定的大电流输出，满足不同焊接工艺的需求。