IXTH20N65X 时间：2025/8/6 6:45:00 阅读：5

IXTH20N65X 是一款由 Littelfuse（前身为 IXYS）制造的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率电源转换和高功率应用而设计，例如开关电源（SMPS）、逆变器、马达控制以及工业自动化设备。其高电压额定值（650V）和大电流能力（20A）使其适用于需要高可靠性和高耐压性能的系统。IXTH20N65X 采用 TO-247 封装，具有良好的散热性能，适用于各种高功率密度的设计场景。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：650V
　　漏极电流（ID）：20A（Tc=25℃）
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.21Ω（最大值，VGS=10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXTH20N65X 具备一系列优异的电气和热性能特点，首先其高击穿电压（650V）确保在高压环境下仍能稳定工作，适用于需要高耐压能力的工业和电力电子系统。其次，该器件的导通电阻较低（最大 0.21Ω），这有助于减少导通损耗，提高整体电源转换效率。此外，IXTH20N65X 采用先进的沟槽栅极技术，使其在高频开关应用中表现出色，降低了开关损耗。
　　热管理方面，TO-247 封装提供了良好的散热能力，能够在高负载条件下保持较低的结温，从而提高器件的可靠性与寿命。该 MOSFET 还具有较强的短路耐受能力，适合用于需要高稳定性的电源系统中。
　　另外，IXTH20N65X 的栅极驱动电压范围为 ±20V，允许使用标准的 10V 或 12V 驱动电路进行控制，兼容多种常见的驱动IC和控制方案。其栅极电荷（Qg）较低，有助于在高频开关应用中减少驱动损耗。

应用

IXTH20N65X 广泛应用于多种高功率和高电压系统中。其主要应用场景包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 整流器、UPS（不间断电源）系统、太阳能逆变器、工业电机驱动以及电动车辆充电系统等。在这些应用中，IXTH20N65X 能够提供高效、可靠的功率开关功能，满足高效率和高稳定性要求。
　　此外，该器件也适用于谐振转换器和软开关拓扑结构，如 LLC 谐振变换器，其中低导通损耗和良好的开关性能可以显著提升系统效率。在工业自动化控制系统中，IXTH20N65X 也常用于驱动大功率负载，如加热元件、电磁阀和大电流马达。