时间：2025/8/5 17:55:01
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IXTH20N50 是一款由 Littelfuse（原 IXYS 公司生产）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源转换、开关电路和电机控制等领域。该器件具有高耐压、低导通电阻和优异的热稳定性，适用于多种高功率电子系统。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压 Vds：500V
漏极电流 Id（最大）：20A（Tc=25℃）
栅极电压 Vgs：±30V
导通电阻 Rds(on)：典型值 0.22Ω（最大值 0.27Ω）
功耗 PD：208W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-247
IXTH20N50 采用了先进的平面 DMOS 技术，具备高耐压和低导通电阻的特性，使其在高功率应用中表现出色。该器件的 Rds(on) 非常低，减少了导通损耗，提高了整体效率。此外，IXTH20N50 具有良好的热稳定性，能够在高温度环境下稳定工作。
其栅极驱动要求较低，通常只需 10V 的 Vgs 即可实现完全导通，适用于多种驱动电路。该 MOSFET 还具有快速开关能力，适合用于高频开关电源和 DC-DC 转换器。
在可靠性方面，IXTH20N50 通过了严格的工业标准测试，确保其在各种工作条件下的稳定性和耐用性。它还具有一定的抗雪崩能力，能够承受瞬态过压和过流的冲击。
IXTH20N50 主要用于中高功率的电源系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机控制器、电池充电器和工业自动化设备中的功率开关电路。此外，它也可用于照明控制系统和太阳能逆变器等需要高效率功率转换的场合。
IRF840、FDPF20N50、STP20N50
