时间：2025/7/11 11:26:49
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V201J0402C0G500NBT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为需要高效率和低损耗的应用场景设计。该器件采用先进的制造工艺，具有极低的导通电阻和快速开关特性，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用领域。
这款芯片属于 N 沟道增强型 MOSFET，能够提供出色的电气性能和热稳定性，从而满足现代电子设备对能效和可靠性的严格要求。
型号：V201J0402C0G500NBT
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压 Vds：60V
最大栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id：80A
导通电阻 Rds(on)：2.5mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
总栅极电荷 Qg：39nC
输入电容 Ciss：3380pF
输出电容 Coss：105pF
反向传输电容 Crss：75pF
结温范围 Tj：-55°C 至 +175°C
V201J0402C0G500NBT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效降低传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关性能，适合高频应用场景。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常工作条件下的鲁棒性。
4. 出色的热稳定性和可靠性，确保长期使用中的性能一致性。
5. 小型化封装设计，有助于减少 PCB 空间占用并简化散热管理。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
V201J0402C0G500NBT 的这些特性使其成为高性能功率转换和控制应用的理想选择。
V201J0402C0G500NBT 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)，包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 工业电机驱动和控制系统。
3. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电力电子模块。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
5. 充电器和适配器。
6. LED 驱动器和照明解决方案。
其卓越的电气特性和可靠性使得该器件非常适合于需要高效率和紧凑设计的各类应用。
V201J0402C0G400NBT, V201J0402C0G600NBT
