IXTH19P20 时间：2025/8/5 17:12:17 阅读：17

IXTH19P20 是一款由 Littelfuse（原 IXYS Corporation）制造的高功率 P 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件采用 TO-247 封装，具备低导通电阻、高电流承载能力和优异的热性能。IXTH19P20 特别适用于需要高效功率转换的工业和电源管理系统。

参数

类型：P 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：200V
　　最大漏极电流(Id)：19A
　　导通电阻(Rds(on))：0.15Ω
　　最大功耗(Pd)：200W
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：-4V 至 -6V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXTH19P20 是一款专为高功率应用设计的 P 沟道 MOSFET，具备低导通电阻（Rds(on)）特性，使其在导通状态下能够有效降低功率损耗，提高整体系统效率。其导通电阻仅为 0.15Ω，可支持高达 19A 的连续漏极电流，满足高负载条件下的需求。此外，该器件的最大漏源电压为 200V，适用于中高压功率转换场景。
　　这款 MOSFET 采用 TO-247 封装，具备良好的散热性能，能够有效管理运行过程中的热量积累，从而提升器件的稳定性和可靠性。该封装形式也便于安装在散热片上，进一步增强热管理能力。
　　IXTH19P20 的栅极阈值电压范围为 -4V 至 -6V，适用于常见的栅极驱动电路。其最大功耗为 200W，在高负载条件下依然能够保持稳定运行。工作温度范围从 -55°C 到 +150°C，使其适用于各种严苛环境条件下的应用。
　　由于其高性能特性和坚固的设计，IXTH19P20 常用于电源管理系统、电机控制、电池充电器、逆变器以及工业自动化设备中的功率开关电路。