IXTH19N50A 时间：2025/8/5 17:01:52 阅读：34

IXTH19N50A是一款由IXYS公司制造的高功率MOSFET晶体管，适用于高电压和高电流的应用。这款晶体管采用TO-247封装，设计用于开关电源、电机控制、逆变器和其他高功率电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：500V
　　最大漏极电流(Id)：19A
　　导通电阻(Rds(on))：0.27Ω
　　栅极电压(Vgs)：±20V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　功率耗散(Pd)：208W

特性

IXTH19N50A具有低导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗并提高效率。该器件还具有高电流承载能力和良好的热稳定性，使其适用于苛刻的工业环境。此外，该MOSFET具有快速开关特性，可以支持高频操作，从而减小外部滤波器的尺寸和成本。其坚固的结构设计也提供了出色的短路和过载保护能力。
　　在可靠性方面，IXTH19N50A经过严格的测试，符合行业标准，确保长期稳定运行。它还具有良好的电磁干扰(EMI)性能，有助于减少外部干扰并提高系统的整体兼容性。