类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　漏极电流（ID）：19A（在 TC=100℃）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.32Ω（最大值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.1V ~ 4.0V
　　功耗（PD）：208W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-247

IXTH19N50 MOSFET 的主要特性之一是其高耐压能力，漏源电压可达 500V，使其适用于高电压输入的电源系统。该器件的导通电阻较低，典型值为 0.32Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，其高电流承载能力（19A）结合良好的热设计，使得 IXTH19N50 在高功率密度应用中表现出色。
　　另一个重要特性是其快速开关能力，IXTH19N50 具有较低的输入电容和门极电荷，从而减少了开关过程中的能量损耗，提高了整体系统的响应速度和效率。这对于高频开关电源和电机驱动应用尤为重要。
　　该器件还具有良好的热稳定性和抗雪崩能力，能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。TO-247 封装形式提供了良好的散热性能，便于安装在散热器上，进一步提升其热管理能力。

IXTH19N50 MOSFET 广泛应用于多种高功率电子系统中，如开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、电机驱动器、DC-DC 转换器以及工业控制系统等。其高耐压、低导通电阻和优良的热性能使其成为高效率、高可靠性的功率开关器件选择。
　　在电源管理系统中，IXTH19N50 常用于高压侧开关控制，提供稳定的电源转换效率。在太阳能逆变器中，它被用于将直流电转换为交流电，为电网供电。在电机控制应用中，该器件用于实现 PWM 控制，调节电机转速和扭矩。此外，它也可用于电池充电器和放电器中，确保高效能量传输。

IRF840, FQA19N50, STF19N50, IXTP14N50