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BUZ10 发布时间 时间:2022/11/25 16:08:43 查看 阅读:467

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:STripFET

    FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 特点:标准型

    开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:70 毫欧 @ 14A, 10v

    漏极至源极电压(Vdss):50V

    电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:23A


目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:STripFET

    FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 特点:标准型

    开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:70 毫欧 @ 14A, 10v

    漏极至源极电压(Vdss):50V

    电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:23A

    Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 1mA

    闸电荷(Qg) @ Vgs:-

    在 Vds 时的输入电容(Ciss) :900pF @ 25V

    功率 - 最大:75W

    安装类型:通孔

    封装/外壳:TO-220-3 (直引线)

    包装:管件

    供应商设备封装:*

    其它名称:497-2728-5


资料

厂商
STMICROELECTRONICS

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BUZ10参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)50V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C23A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C70 毫欧 @ 14A,10v
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds900pF @ 25V
  • 功率 - 最大75W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称497-2728-5