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IXTH18N65 发布时间 时间:2025/8/5 20:35:17 查看 阅读:21

IXTH18N65 是一款由 Littelfuse(原 IXYS Corporation)制造的高电压、高电流 N 沟道功率 MOSFET。该器件设计用于高功率开关应用,如电源转换器、电机控制、逆变器以及各种工业和消费类电力电子设备中。该 MOSFET 具有较低的导通电阻(Rds(on))和高击穿电压(650V),能够在高电流条件下工作,适用于需要高效率和高可靠性的系统。IXTH18N65 采用 TO-247 封装,具备良好的散热性能,适用于高功率密度设计。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏极电流(ID):18A(最大)
  漏极-源极击穿电压(VDS):650V
  栅极-源极电压(VGS):±30V
  导通电阻(Rds(on)):0.24Ω(最大,典型值为 0.18Ω)
  功耗(PD):200W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-247

特性

IXTH18N65 是一款专为高功率应用设计的 MOSFET,具有出色的导通性能和开关特性。其主要特性包括高耐压(650V)、低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力(18A)。这些特性使得该器件在高频开关应用中具有较低的传导损耗和开关损耗,从而提高整体系统效率。
  该 MOSFET 采用先进的平面技术制造,具备良好的热稳定性和长期可靠性。其 TO-247 封装不仅提供了优良的散热能力,还便于安装散热片,适用于紧凑型高功率设计。此外,该器件具有较高的抗雪崩能力,能够在极端工作条件下保持稳定运行。
  IXTH18N65 的栅极驱动要求较低,通常可在 10V 栅极驱动电压下完全导通,适用于各种常见的 MOSFET 驱动器电路。其快速开关特性使其适用于 PWM 控制、DC-DC 转换器、逆变器、UPS 系统等应用。此外,该器件的高耐压特性也使其适用于高输入电压的 AC-DC 转换器和电机驱动系统。

应用

IXTH18N65 适用于多种高功率电子系统,包括开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器、UPS 系统、电机控制器、光伏逆变器、工业自动化设备以及各种高功率 LED 照明驱动器。该器件特别适合需要高效率、高可靠性和紧凑设计的现代电力电子系统。

替代型号

IXTH20N65C2, IRFPG50, FDPF18N65F, STP18N65M5

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