时间：2025/8/6 7:27:08
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IXTH182N055T 是一款由 Littelfuse（原 International Rectifier）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件适用于高功率、高频率的开关应用，具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的热稳定性。IXTH182N055T 采用 TO-247 封装形式，广泛用于电源转换器、电机控制、UPS 系统以及工业自动化设备中。
类型：MOSFET（N沟道增强型）
最大漏源电压（Vds）：55V
最大漏极电流（Id）：182A
导通电阻（Rds(on)）：最大 3.5mΩ（典型值 2.8mΩ）
栅极电荷（Qg）：约 180nC（10V 驱动）
最大功耗（Ptot）：约 300W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
驱动电压：10V
IXTH182N055T 具备出色的导通性能和开关特性，适用于高功率密度和高效率的电源设计。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了系统效率。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提升了电流承载能力和热稳定性。此外，IXTH182N055T 在高温环境下仍能保持良好的性能，适合用于需要高可靠性的工业和汽车电子系统。其栅极驱动电压为 10V，适用于标准 MOSFET 驱动器。该器件的 TO-247 封装具有良好的散热性能，便于安装在散热器上，确保长时间高负载运行的稳定性。IXTH182N055T 的快速开关特性降低了开关损耗，使其适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和电池管理系统等应用。此外，该器件具备良好的雪崩能量承受能力，增强了系统的鲁棒性。
IXTH182N055T 常用于各种高功率电子系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机控制器、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器、工业自动化设备以及电动汽车充电系统等。其优异的导通和开关特性使其成为高效率、高可靠性的功率转换应用的理想选择。
IRFP4468PBF, IXTH160N055T, IXFN170N055T, AUIRF1404ZTR, IXTH182N055TV
