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IXTH180N085T 发布时间 时间:2025/8/6 7:22:48 查看 阅读:22

IXTH180N085T是一款由Littelfuse公司制造的高功率、高压、高速双极晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT),主要用于高电压和高功率应用。该晶体管采用先进的制造工艺,具备高耐压、高电流承载能力以及优异的热稳定性,适用于各种电力电子系统,如开关电源、工业电机控制和功率因数校正电路等。

参数

类型:NPN双极晶体管
  最大集电极-发射极电压(VCEO):850V
  最大集电极电流(IC):180A
  最大功耗(PD):375W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:TO-247
  电流增益(hFE):典型值为15-60(根据工作条件)
  集电极-基极击穿电压(VCBO):1000V
  发射极-基极击穿电压(VEBO):5V
  最大工作频率:1MHz
  热阻(RthJC):0.4°C/W

特性

IXTH180N085T具有多项优异的电气和机械特性,使其在高压和高功率环境下表现出色。
  首先,该晶体管的高耐压能力(VCEO为850V,VCBO达1000V)使其适用于高电压操作环境,能够承受较高的反向电压冲击,提高了电路的稳定性和可靠性。其次,其最大集电极电流可达180A,具备出色的电流承载能力,适用于需要高输出功率的应用场景。
  此外,IXTH180N085T采用了TO-247封装,具有良好的散热性能和机械稳定性,能够在高温环境下稳定工作。该器件的最大功耗为375W,且热阻(RthJC)仅为0.4°C/W,表明其具备良好的热传导性能,有助于降低工作温度,延长器件寿命。
  在频率响应方面,该晶体管的工作频率可达1MHz,适用于高频开关应用,如功率因数校正(PFC)电路和DC-DC转换器。其电流增益(hFE)在不同工作条件下可在15至60之间变化,提供了良好的信号放大能力。
  同时,该晶体管的封装设计便于安装和散热管理,适用于多种电路板布局。其工作温度范围宽达-55°C至+150°C,可适应各种严苛的环境条件。

应用

IXTH180N085T广泛应用于各种高功率和高压电子系统中。常见应用包括:
  1. **开关电源**:在大功率开关电源中作为主开关器件,用于实现高效的能量转换。
  2. **电机控制**:用于工业电机驱动器和变频器,提供高电流输出和稳定控制。
  3. **功率因数校正(PFC)**:在PFC电路中作为开关元件,提高电源的效率并减少谐波干扰。
  4. **逆变器和UPS系统**:用于不间断电源(UPS)和逆变器系统中,实现直流到交流的高效转换。
  5. **焊接设备**:用于大电流输出的焊接设备,提供稳定的电流控制。
  6. **电动汽车充电系统**:在电动汽车充电器中作为核心开关元件,支持高电压和高电流操作。

替代型号

IXTH180N100(更高电压等级,1000V VCEO)
  IXGH180N085T(同类型,但采用不同的封装形式)
  IXTH150N085(相似性能,但额定电流较低)
  STTH180N085(意法半导体提供的替代型号)

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IXTH180N085T参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchMV™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)85V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C180A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.5 毫欧 @ 25A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs170nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds7500pF @ 25V
  • 功率 - 最大430W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247
  • 包装管件