时间：2025/5/10 9:45:31
阅读：2
LSD07N70是一种N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用TO-220封装形式，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特性，适合于中高压应用场合。
该MOSFET的典型特点是能够在高频条件下保持高效的性能，同时其出色的热稳定性和可靠性也使其成为工业及消费类电子产品的理想选择。
最大漏源电压：700V
连续漏极电流：7A
导通电阻：1.4Ω（在Vgs=10V时）
栅极电荷：50nC
输入电容：360pF
总功耗：140W
工作结温范围：-55℃至+150℃
LSD07N70具备以下关键特性：
1. 高击穿电压（700V），适用于高电压环境。
2. 低导通电阻，减少导通损耗，提高效率。
3. 快速开关能力，降低开关损耗。
4. 小巧的TO-220封装，便于散热设计。
5. 符合RoHS标准，环保无铅工艺。
6. 提供可靠的电气性能，在恶劣环境下依然表现良好。
LSD07N70主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器的高频开关元件。
3. 工业电机驱动电路中的功率控制。
4. 各种负载开关和保护电路。
5. LED驱动器和逆变器中的功率管理部分。
6. 其他需要高电压、大电流处理能力的应用场景。
STP7N70, IRF770, FQP17N70
