类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：17A
　　最大漏源电压（VDS）：550V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.38Ω（最大）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.1V ~ 4.0V
　　最大栅极电压（VGS）：±20V
　　耗散功率（PD）：175W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-247

IXTH17N55具备多项优良的电气和热性能，适用于高功率密度设计。
　　首先，该MOSFET的最大漏源电压为550V，能够胜任中高压应用，如工业电源、逆变器和开关电源等。其最大漏极电流为17A，支持较高功率输出，适用于需要较高电流能力的系统。
　　其次，IXTH17N55的导通电阻RDS(on)最大为0.38Ω，在工作状态下可以有效降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的栅极阈值电压范围为2.1V至4.0V，确保其在不同的驱动条件下能够稳定导通。
　　在热管理方面，IXTH17N55采用TO-247封装，具有良好的散热性能，能够在高功率应用中保持较低的工作温度，从而提高可靠性和寿命。
　　该器件还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受性，增强了在突发故障条件下的稳定性。此外，IXTH17N55的封装设计使其易于安装在散热器上，便于系统集成和维护。

IXTH17N55适用于多种高功率电子系统和设备，特别是在需要高效能和高可靠性的工业环境中。
　　常见应用包括开关电源（SMPS），如AC-DC和DC-DC转换器，其中IXTH17N55的低导通电阻和高耐压能力有助于提高电源转换效率并减少发热。
　　此外，该MOSFET也广泛用于电机驱动和逆变器系统，如无刷直流电机控制和太阳能逆变器，能够承受较高的开关频率和负载波动。
　　在工业自动化和控制系统中，IXTH17N55可用于驱动继电器、电磁阀和其他高功率负载，提供稳定可靠的开关功能。
　　由于其良好的热性能和封装设计，IXTH17N55也可用于需要长时间高负载工作的设备，如不间断电源（UPS）、焊接设备和测试仪器。

IXTH18N55, IXTH16N55, IRF840, FDPF840