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IXTH16N10D2 发布时间 时间:2025/12/25 7:35:48 查看 阅读:9

IXTH16N10D2 是一款由 Littelfuse(原 IXYS 公司)生产的高功率 N 沟道双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),主要用于高功率开关和电源管理应用。该器件具有高电流处理能力和优异的热性能,适用于工业电源、电机驱动、电池管理系统和逆变器等场景。该封装为 TO-247,便于散热并适合高功率密度设计。

参数

漏源电压 Vds: 100V
  漏极电流 Id: 16A
  栅源电压 Vgs: ±20V
  导通电阻 Rds(on): 0.045Ω(典型值)
  工作温度范围: -55°C 至 +175°C
  封装类型: TO-247

特性

IXTH16N10D2 的核心特性包括其低导通电阻(Rds(on)),这有助于降低导通损耗并提高效率,从而在高功率应用中实现更优的热管理。
  其 100V 的漏源电压额定值和 16A 的连续漏极电流能力使其适用于广泛的功率转换设备。
  此外,该器件具备出色的雪崩能量耐受能力,增强了在瞬态电压条件下的可靠性。
  TO-247 封装提供了良好的热传导性能,允许在高功率密度设计中使用而不会导致过热。
  该 MOSFET 还具有快速开关特性,减少了开关损耗,提高了系统效率。
  内部结构设计优化了电磁干扰(EMI)性能,使其在高频开关应用中表现良好。

应用

IXTH16N10D2 常用于多种高功率电子系统中,例如:
  DC-DC 转换器和开关电源(SMPS)中作为主开关器件,以实现高效的电压调节。
  电机控制和驱动电路中,用于 PWM 控制以调节电机速度和扭矩。
  在电池管理系统(BMS)中作为高侧或低侧开关使用,用于电池充放电管理。
  逆变器系统中用于将直流电转换为交流电,适用于太阳能逆变器、UPS 和电动工具等设备。
  工业自动化设备中的功率开关,如 PLC 和伺服驱动器。
  由于其高可靠性和热稳定性,也适用于汽车电子和新能源汽车的功率模块。

替代型号

IRF1405, FDP16N10, STP16NF10, FCH16N10F

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IXTH16N10D2产品

IXTH16N10D2参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点耗尽模式
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C16A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C64 毫欧 @ 8A,0V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)-
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs225nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5700pF @ 25V
  • 功率 - 最大830W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247
  • 包装管件