时间：2025/8/6 3:37:47
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IXTH160N075T 是一款由 Littelfuse（原 International Rectifier，简称 IR）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高电流、高频率开关应用而设计，广泛用于工业电源、DC-DC 转换器、电机控制以及各种高功率电子系统中。该 MOSFET 采用先进的沟槽式技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和快速的开关特性，有助于提高系统效率并减少热损耗。IXTH160N075T 通常封装在 TO-247 封装中，便于散热和安装。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（Id）：160 A
最大漏-源极电压（Vds）：75 V
最大栅-源极电压（Vgs）：±20 V
导通电阻（Rds(on)）：7.5 mΩ（典型值）
功耗（Ptot）：300 W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
IXTH160N075T MOSFET 具有一系列卓越的电气和热性能特点，使其在高功率应用中表现出色。其核心特性之一是极低的导通电阻 Rds(on)，典型值仅为 7.5 mΩ，这大大降低了导通损耗，提高了能效。此外，该器件能够承受高达 160 A 的连续漏极电流和 75 V 的漏-源极电压，适用于高功率密度设计。
该 MOSFET 采用先进的沟槽式结构，优化了电流传导路径，提高了器件的开关速度，从而降低了开关损耗。其栅极电荷（Qg）相对较低，有利于高频操作，适用于诸如同步整流、电机驱动和功率因数校正（PFC）电路等应用。
另外，IXTH160N075T 具有良好的热稳定性，TO-247 封装提供了优异的散热性能，使得该器件在高负载条件下仍能保持稳定运行。其最大功耗为 300 W，能够在恶劣的工作环境中保持较高的可靠性。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 ±20 V 的最大栅-源电压，适用于多种驱动电路设计。同时，其工作温度范围从 -55°C 到 +175°C，适应各种工业和汽车应用的需求。
IXTH160N075T 广泛应用于需要高电流和高效率的电力电子系统中。典型的应用包括工业电源、服务器电源、不间断电源（UPS）、电池充电器、DC-DC 转换器、电机控制器以及太阳能逆变器等。由于其低导通电阻和高电流能力，该 MOSFET 特别适合用于同步整流电路，以提高电源转换效率。在电机控制领域，它可用于 H 桥驱动或 BLDC 电机控制模块。此外，该器件也适用于高功率音频放大器和汽车电子系统中的功率管理模块。
IRF1405, IXFN160N075T, AUIRF1405, SiHF1405, STP150N7F7AG
