时间：2025/8/6 6:43:49
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IXTH15N70是一种N沟道增强型功率MOSFET，由Littelfuse生产，属于其Transistor Products系列。该MOSFET具有高电压和高电流能力，适用于多种电力电子应用。IXTH15N70的设计旨在提供卓越的性能和可靠性，特别是在高电压操作条件下。它采用TO-247封装，方便散热并适用于大功率应用。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：700V
栅源电压(Vgs)：±30V
连续漏极电流(Id)：15A
功率耗散(Pd)：200W
导通电阻(Rds(on))：0.38Ω（最大值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXTH15N70是一款高性能功率MOSFET，具有多项显著特性。首先，它的高耐压能力（700V）使其非常适合用于高电压应用，如电源转换器、电机控制和照明系统。其次，低导通电阻（Rds(on)）确保在导通状态下具有较低的功率损耗，提高了整体效率。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行，增强了系统的稳定性。IXTH15N70的封装设计（TO-247）不仅便于安装，还提供了良好的散热性能，确保在高电流条件下也能保持较低的温度。此外，该MOSFET具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高系统响应速度。这些特性使其成为多种高功率电子设备的理想选择。
该器件还具有良好的抗雪崩能力和高耐用性，能够承受短时间的过载和瞬态电压冲击。这种高可靠性使其适用于工业自动化、电源管理和可再生能源系统等关键应用领域。此外，IXTH15N70的栅极驱动要求相对较低，简化了驱动电路的设计，降低了整体系统成本。
IXTH15N70广泛应用于多种电力电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC转换器、电机驱动器、照明系统（如LED驱动器）以及工业自动化设备。它也常用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和电池管理系统（BMS）等高功率应用场景。由于其高电压和高电流能力，IXTH15N70特别适合需要高效能和高可靠性的电源管理应用。
IXTH15N70XV
