时间：2025/6/19 1:51:07
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JSM20N65F是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和功率转换应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热稳定性，适用于各种工业和消费类电子产品中的高效能设计。
JSM20N65F的耐压能力高达650V，能够满足高压环境下的应用需求，同时其漏极电流可达20A，适合在大电流条件下运行。此外，它还具有较低的栅极电荷和输出电容，有助于降低开关损耗并提高整体系统效率。
最大漏源电压：650V
最大漏极电流：20A
最大栅源电压：±20V
导通电阻（典型值）：0.18Ω
栅极电荷（典型值）：95nC
工作温度范围：-55℃ to 150℃
1. 高耐压能力，可承受650V的漏源电压，适用于多种高压场景。
2. 具有低导通电阻（Rds(on)），可以减少传导损耗，从而提升系统效率。
3. 快速开关性能，得益于低栅极电荷和输出电容，适合高频应用。
4. 热稳定性良好，能够在宽泛的工作温度范围内保持稳定的电气特性。
5. 封装形式通常为TO-247或TO-220，便于散热和安装。
1. 开关电源（SMPS）
2. 电机驱动和控制
3. 逆变器和转换器
4. 工业自动化设备
5. 消费类电子产品的功率管理模块
6. 太阳能逆变器和储能系统中的功率转换
IRFP460N, STW84N65, FQA20N65C
