类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：650V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　最大连续漏极电流(ID)：15A
　　最大功耗(PD)：160W
　　导通电阻(RDS(on))：约0.44Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-247

IXTH15N65A采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供较低的导通电阻（RDS(on)），从而减少导通损耗并提高系统效率。其高击穿电压（650V）使其适用于高压电源转换器和需要高耐压的应用。该器件的封装形式为TO-247，具有良好的散热性能，确保在高功率应用中能够有效管理热量。
　　此外，该MOSFET具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高整体系统的效率。其栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，使得与控制电路的接口更加简便。IXTH15N65A还具备高抗雪崩能力，能够承受短时间的过载和瞬态电压冲击，从而增强器件的可靠性。
　　该MOSFET的内部结构优化设计降低了寄生电感，提高了器件在高频开关应用中的性能。由于其坚固的封装和内部结构，IXTH15N65A在工业环境和高温条件下表现出色，适用于严苛的工作环境。

IXTH15N65A广泛应用于多种电力电子系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器、马达驱动器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和工业自动化控制系统。由于其高电压和高电流能力，该器件非常适合用于需要高效率和高可靠性的高压电源转换场合。
　　在开关电源中，IXTH15N65A可以作为主开关器件，用于高效地将输入电压转换为所需的输出电压。在马达控制应用中，该MOSFET可用于PWM（脉宽调制）控制，实现对马达速度和扭矩的精确调节。此外，在太阳能逆变器系统中，该器件可用于将直流电转换为交流电，以供家庭或电网使用。
　　该器件还适用于需要高抗雪崩能力和高稳定性的工业控制设备，例如可编程逻辑控制器（PLC）和工业电源模块。

STP15N65M5, FQP15N65C, IRFP4668