IXTH150N17TSN 时间：2025/8/6 2:24:09 阅读：22

IXTH150N17TSN 是一款由英飞凌（Infineon）公司推出的高性能功率MOSFET晶体管，专为高电流、高电压应用场景设计。该器件采用先进的TrenchSTOP?技术，结合快速恢复二极管，提供优异的导通和开关性能，适用于工业电源、电机驱动、太阳能逆变器、电动汽车充电系统等高要求应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：1700V
　　最大漏极电流（Id）：150A（Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为14mΩ（最大18mΩ）
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　工作温度范围：-55℃至+175℃
　　封装形式：TO-247
　　短路耐受能力：支持
　　二极管反向恢复时间（trr）：典型值为65ns

特性

IXTH150N17TSN 的核心特性包括：1）采用TrenchSTOP技术，实现导通损耗和开关损耗的平衡；2）内置快速恢复二极管，减少外部元件数量，提高系统集成度；3）高雪崩耐量和短路耐受能力，确保在极端工况下的可靠性；4）优化的热设计，提高散热效率，支持高功率密度应用；5）适用于硬开关和软开关拓扑结构，如Boost、Buck、Half-Bridge和Full-Bridge等；6）具备高dv/dt耐受能力，减少开关过程中的电磁干扰（EMI）；7）符合RoHS和REACH环保标准。

应用

IXTH150N17TSN 主要应用于高功率工业设备，包括但不限于：1）太阳能逆变器中的DC-AC转换电路；2）电动汽车车载充电器（OBC）与充电桩电源模块；3）工业电机驱动器与伺服控制器；4）不间断电源（UPS）系统；5）高功率开关电源（SMPS）；6）焊接设备与电镀电源；7）智能电网与储能系统中的能量转换模块。