DRV5013ADQDBZT 是一款由德州仪器(TI)生产的霍尔效应传感器芯片,广泛应用于工业、汽车和消费电子领域。该器件能够将磁场强度的变化转化为电信号输出,具有高灵敏度、低功耗和高可靠性等特点。DRV5013 系列采用先进的 BiCMOS 工艺制造,适用于旋转编码器、速度检测、位置传感等场景。此型号带有一个集成的锁存功能,能够在磁场达到特定阈值时触发信号输出。
工作电压:2.7V 至 5.5V
电源电流:最大 4mA
工作温度范围:-40°C 至 125°C
磁滞:约 9 Gauss
响应时间:小于 1 微秒
输出类型:数字开漏输出
封装形式:SOT-23
DRV5013ADQDBZT 的设计基于各向异性磁阻 (AMR) 技术,具有以下显著特点:
1. 高灵敏度,能够检测微弱的磁场变化。
2. 内置的锁存机制允许设备在单极或双极模式下运行,适应不同应用需求。
3. 集成的 EMC 和 ESD 保护增强了系统的鲁棒性。
4. 小巧的 SOT-23 封装使得其适合空间受限的应用环境。
5. 广泛的工作温度范围确保了在恶劣环境下也能稳定工作。
6. 超低功耗,非常适合电池供电的便携式设备。
该芯片主要应用于需要非接触式位置检测或速度测量的场合,例如:
1. 汽车行业的转速计数、阀门位置检测和电机控制。
2. 工业自动化中的接近开关和限位开关。
3. 家电产品的无刷直流电机换向控制。
4. 消费电子产品中的滚轮和按键检测。
5. 医疗设备中精密运动部件的位置监控。
DRV5013AUPDBZT, DRV5013AQDDBZT