时间：2025/8/6 2:31:03
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IXTH150N15X4 是一款由 Littelfuse（原IXYS）生产的高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电流、高效率功率转换应用而设计。该器件采用了先进的技术，具有低导通电阻、高耐压和良好的热性能，适用于工业电源、电机控制、太阳能逆变器、电池管理系统和电动汽车等高要求的功率电子系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：150A（在TC=25°C时）
最大漏源电压（VDS）：1500V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为18mΩ（最大22mΩ）
功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247AD（3引脚）
技术：硅基（Si）
IXTH150N15X4 采用先进的硅基技术和沟槽式结构，使其在高电压和高电流条件下具有优异的导通性能。该器件的导通电阻非常低，典型值为18mΩ，极大减少了导通损耗，提高了系统效率。此外，其高耐压能力（1500V VDS）使得该MOSFET适用于高压直流变换器、太阳能逆变器和电动汽车的电源管理系统。
该MOSFET具有良好的热管理特性，能够承受高功率密度工作环境下的热应力，确保长时间运行的稳定性和可靠性。其TO-247AD封装形式具备良好的散热性能，并支持快速安装到散热片上，适用于工业级应用。
另外，IXTH150N15X4 还具备快速开关能力，有助于减少开关损耗，提高整体系统的能效。其栅极驱动电压范围为±20V，兼容多种常见的MOSFET驱动电路，方便系统设计和集成。
IXTH150N15X4 适用于多种高功率电子系统，包括：
- 工业电源和DC-DC转换器
- 太阳能逆变器和储能系统
- 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的功率管理系统
- 电机驱动与变频器
- 高压直流输电（HVDC）系统
- UPS（不间断电源）和电池管理系统（BMS）
由于其高耐压、低导通电阻和良好的热性能，IXTH150N15X4 成为各种高要求功率转换应用的理想选择。
IXFN150N15X2, IXFN150N15X4, IXTH150N15X3
