IXTH13P15A 时间：2025/8/5 16:21:13 阅读：25

IXTH13P15A 是一款由 Littelfuse（前身为 IXYS）制造的 N 沟道功率 MOSFET，专为高功率密度和高效率应用设计。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供低导通电阻（RDS(on)）和卓越的热性能，适用于电源转换器、DC-DC 转换器、电机控制和工业自动化设备等应用。IXTH13P15A 采用 TO-247 封装，具有良好的散热能力，适用于需要高电流和高电压的应用场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极电流（ID）：13A
　　漏源电压（VDS）：1500V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值 2.5Ω（最大值 3.5Ω）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装：TO-247

特性

IXTH13P15A 的设计采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，使其在高电压应用中具有极低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了整体效率。该器件的高击穿电压（1500V）使其适用于高压电源系统，如光伏逆变器、工业电源和高功率 LED 驱动器。此外，该 MOSFET 具有良好的热稳定性，能够在高温度环境下稳定运行，延长设备寿命。
　　其 TO-247 封装提供了良好的热管理和机械稳定性，确保在高功率应用中的可靠性。此外，该器件具有快速开关能力，减少了开关损耗，并适用于高频操作。栅极驱动要求较低，简化了驱动电路设计，降低了驱动损耗。IXTH13P15A 还具有卓越的雪崩能量耐受能力，确保在负载突变或短路情况下仍能保持稳定运行。