类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：800V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：13A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.65Ω（最大）
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装：TO-247

IXTH13N80A具备多项关键特性，使其在高压功率应用中表现卓越。
　　首先，其漏源电压高达800V，确保在高压环境下稳定运行，适用于各种电力电子设备的开关操作。此外，该MOSFET具有13A的最大连续漏极电流，可在高负载条件下提供足够的电流承载能力，确保系统在高功率需求下的稳定运行。
　　其次，IXTH13N80A的导通电阻最大为0.65Ω，这有助于降低导通损耗，提高整体系统的能效。低导通电阻在高电流应用中尤为重要，因为它可以减少热量的产生，从而提高系统的可靠性和使用寿命。
　　该器件的封装形式为TO-247，具备良好的热管理和机械稳定性。TO-247封装允许快速散热，使MOSFET在高功率操作下保持较低的工作温度，避免因过热导致的性能下降或损坏。
　　此外，IXTH13N80A的栅源电压范围为±30V，允许灵活的驱动电路设计，并确保在各种工作条件下不会因栅极电压异常而损坏。其最大功率耗散为200W，表明该器件能够在较高温度环境下承受较大的功率负载，适用于高可靠性要求的应用场景。
　　最后，该MOSFET的工作温度范围为-55°C至+150°C，使其在极端环境条件下依然保持稳定性能。这一特性使其成为工业控制、电源管理以及电力电子系统中的理想选择。

IXTH13N80A广泛应用于多种高功率电子设备中，尤其适用于需要高电压和较高电流能力的开关电路。
　　其中，电源转换器是其主要应用领域之一。例如，在开关电源（SMPS）中，IXTH13N80A可作为主开关器件，用于DC-DC转换、AC-DC整流和隔离式电源拓扑结构中，其高电压耐受能力和低导通电阻可显著提高电源效率。
　　在电机控制方面，该MOSFET可用于直流电机驱动、伺服电机控制及变频器系统中，提供高效的功率开关功能，支持电机的平稳启动、调速和制动操作。
　　此外，IXTH13N80A还可用于工业自动化系统，如PLC（可编程逻辑控制器）和工业逆变器，确保设备在高电压环境下可靠运行。
　　在可再生能源系统中，该器件可用于太阳能逆变器、风能转换系统以及储能系统中的功率调节电路，以实现高效的能量转换和管理。
　　由于其高可靠性和宽工作温度范围，IXTH13N80A也适用于电力电子负载开关、UPS（不间断电源）系统、焊接设备和高功率LED驱动器等应用场合。

IXTP14N80A, FQA13N80C, STF13N80M5, IRFGB40N80KPBF