时间：2025/8/6 10:42:51
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IXTH12N90 是一款由 Littelfuse（力特）公司生产的高电压、高电流的 N 沟道功率 MOSFET。该器件专为高功率密度和高效能应用而设计，广泛用于电源管理、工业控制、电机驱动、DC-DC 转换器以及高电压系统中。作为一款增强型 MOSFET，IXTH12N90 在高电压条件下仍能提供优异的导通和开关性能，适用于需要高可靠性和高效率的电力电子系统。
类型：N 沟道
漏极-源极击穿电压 (Vds)：900 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：12 A
最大导通电阻 (Rds(on))：0.68 Ω（典型值）
栅极阈值电压 (Vgs(th))：2.1 V 至 4.0 V
最大栅极-源极电压 (Vgs)：±30 V
最大耗散功率 (Pd)：200 W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
IXTH12N90 具备多项高性能特性，适用于高电压、高效率的电力电子应用。首先，其高达 900 V 的漏极-源极击穿电压使其适用于高压系统，如工业电源和高电压 DC-DC 转换器。其次，该器件的导通电阻较低（典型值为 0.68 Ω），能够在高电流条件下保持较低的导通损耗，从而提升系统效率。
此外，IXTH12N90 支持高达 12 A 的连续漏极电流（在 25°C 环境温度下），具备良好的电流承载能力，适合用于高功率应用。其栅极阈值电压范围为 2.1 V 至 4.0 V，确保在多种驱动条件下都能实现可靠的导通控制。
该 MOSFET 还具备出色的热稳定性和抗冲击能力，能够在极端温度条件下（-55°C 至 +175°C）稳定工作，适用于工业级和汽车级应用场景。同时，其封装形式为 TO-247，具备良好的散热性能，有助于提升器件的长期可靠性。
另外，IXTH12N90 提供了高抗雪崩能力（Avalanche Ruggedness），在高压开关过程中能够有效承受瞬态电压冲击，从而提升系统的稳定性与耐用性。这一特性对于电机控制、逆变器和高压开关电源等应用尤为重要。
IXTH12N90 主要应用于需要高电压、高效率和高可靠性的电力电子系统。常见应用包括高压 DC-DC 转换器、工业电源、电机驱动、光伏逆变器、UPS 系统、功率因数校正（PFC）电路以及高电压开关电源等。其优异的导通特性和高压能力使其成为工业控制和自动化系统中的理想功率开关器件。
IXTH16N90, IXTP12N90, IXTP16N90
