类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：650V
　　连续漏极电流（Id）@25℃：11A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.23Ω（最大值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V~4V
　　功耗（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55℃~150℃
　　封装类型：TO-220
　　引脚数：3
　　技术：超级结（Super Junction）

FCH023N65S3_F155 采用超级结技术，显著降低了导通电阻并提高了开关性能，从而实现更高的能效和更小的热损耗。其低Rds(on)特性使其在高电流应用中仍能保持较低的功率损耗。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和较高的雪崩能量承受能力，增强了器件在恶劣环境下的可靠性。
　　在开关特性方面，FCH023N65S3_F155 具有较快的上升和下降时间，能够适应高频开关操作，从而减小外围滤波电路的尺寸，提高整体系统的功率密度。同时，其内置的体二极管具有良好的反向恢复特性，适用于需要频繁反向电流导通的电路应用。
　　该器件还具备良好的抗短路能力和过热保护性能，能够在非正常工作条件下提供更高的安全裕度，防止因过载或短路引起的损坏。

FCH023N65S3_F155 常用于高效率电源系统中，例如AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）、光伏逆变器、电机驱动器和DC-DC转换器等。其高耐压和低导通电阻特性使其成为高功率密度设计的理想选择。
　　此外，该MOSFET也广泛应用于工业自动化系统、家用电器电源管理模块、LED照明驱动电路以及电动车充电设备中的功率开关部分。由于其优异的热性能和高可靠性，FCH023N65S3_F155 也适用于需要长时间连续运行的工业控制系统。

FCH023N65S3H_F155, FCP023N65S3_F155, FCH028N60NF_F155, STF2N65M2, FQP12N60C