时间：2025/8/5 21:31:58
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IXTH120N15T 是一款由 Littelfuse（原 IXYS Corporation）制造的高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于该公司“High Voltage Power MOSFET”产品线的一部分。该器件设计用于需要高效率和高可靠性的高功率应用，如开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机控制、逆变器以及工业自动化系统。IXTH120N15T 采用 TO-247 封装，具备低导通电阻、高电流能力和优良的热性能，适用于各种高功率密度设计。
类型：N沟道 MOSFET
漏源电压(Vds)：150V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：120A
导通电阻(Rds(on))：最大值为 7.5mΩ（典型值更低）
功率耗散(Pd)：300W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247
IXTH120N15T 的核心特性之一是其极低的导通电阻 Rds(on)，典型值低于 7.5mΩ，这有助于显著降低导通损耗，提高整体系统效率。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，结合优化的芯片设计，实现了低开关损耗和高电流处理能力。此外，其高功率耗散能力（300W）使其能够在高负载条件下保持稳定运行。
该 MOSFET 具有良好的热稳定性和高雪崩能量承受能力，增强了器件在极端工况下的可靠性。其栅极驱动电压范围为 ±20V，支持广泛的应用场景，并兼容标准的栅极驱动电路。TO-247 封装不仅提供了良好的散热性能，也便于在各种 PCB 设计中安装和使用。
IXTH120N15T 还具有出色的短路耐受能力，适用于需要高可靠性和安全性的工业和汽车应用。其高 dv/dt 耐受性有助于减少开关过程中的电压震荡，提高系统稳定性。
IXTH120N15T 广泛应用于高功率开关电源（SMPS）、大功率直流-直流转换器、电机驱动系统、工业自动化设备、逆变器以及不间断电源（UPS）等。其低导通电阻和高电流能力使其成为需要高效率和高功率密度的电源转换系统的理想选择。
由于其高可靠性和良好的热性能，该器件也适用于新能源系统，如太阳能逆变器和电动汽车充电系统中的功率转换模块。此外，在电机控制应用中，IXTH120N15T 可用于构建高效的 H 桥结构，实现精确的速度和方向控制。
在高功率音频放大器、焊接设备和电镀电源等特种电源应用中，IXTH120N15T 同样表现出色，能够提供稳定可靠的功率输出。
IXTH120N15T4, IXFN120N15T, STP120N15T, IRFP4468PBF
