时间：2025/8/6 12:50:27
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IXTH11P50是一款由Littelfuse公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高功率开关应用。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻和高耐压能力，适合用于电源管理、电机控制和工业自动化等领域。
类型: N沟道
漏源电压(Vds): 500V
连续漏极电流(Id): 11A
导通电阻(Rds(on)): 0.3Ω
栅极电荷(Qg): 34nC
工作温度范围: -55°C至150°C
封装类型: TO-220
IXTH11P50具有低导通电阻，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的高耐压能力使其在高压应用中表现出色，同时具备良好的热稳定性和过载保护功能。此外，IXTH11P50的栅极电荷较低，有助于提高开关速度和减少开关损耗。其TO-220封装提供了良好的散热性能，适用于各种高功率应用场景。
该MOSFET还具备优异的可靠性和耐用性，能够在恶劣的工作环境下稳定运行。其设计优化了动态性能，使得在高频开关应用中表现出色，减少了电磁干扰(EMI)。此外，IXTH11P50的制造工艺确保了器件的长期稳定性和一致性，适用于对可靠性要求较高的工业和电力电子设备。
IXTH11P50广泛应用于电源供应器、DC-DC转换器、电机驱动器、工业自动化设备和家用电器等。其高耐压和低导通电阻特性使其成为高效电源管理和高功率开关的理想选择。此外，该器件也可用于逆变器、充电器和照明系统等需要高可靠性和高性能的电子设备。
IRF840, FQA11N50, STP11NM50
