TF044AP是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道功率MOSFET,广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力,适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器以及负载开关等场景。TF044AP采用高性能硅工艺制造,确保在高频开关环境下仍能保持稳定工作,并具备良好的热稳定性和耐用性。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):30V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):120A(@TC=25°C)
导通电阻(RDS(on)):4.4mΩ(@VGS=10V)
功率耗散(PD):200W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:TO-220
TF044AP具有优异的导通性能和开关特性,适用于高效率功率转换系统。其低导通电阻显著降低了导通损耗,提高了系统的整体效率。此外,该器件具有高电流承载能力和良好的热稳定性,能够在高负载条件下保持稳定运行,不易发生热失效。TF044AP还具备快速开关响应能力,适用于高频开关应用。器件的栅极设计优化了开关损耗,减少了电磁干扰(EMI),提高了系统的可靠性和稳定性。同时,该MOSFET的封装形式(TO-220)具有良好的散热性能,有助于提升整体系统的热管理能力。由于其优异的电气和热性能,TF044AP在工业电源、电动汽车、电池管理系统和高功率LED照明等领域得到了广泛应用。
在实际应用中,TF044AP通常与其他MOSFET或驱动IC配合使用,构成半桥或全桥拓扑结构,以实现高效的功率转换。其栅极驱动电压范围较宽(±20V),便于与多种驱动电路兼容。同时,该器件具备较强的抗雪崩能力,能够在瞬态过压或负载突变的情况下保持稳定工作,提升了系统的安全性和可靠性。此外,TF044AP的制造工艺严格遵循东芝的高质量标准,确保了器件的一致性和长寿命,适用于对可靠性要求较高的工业和汽车应用。
TF044AP主要应用于高功率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统、LED照明驱动电路以及工业自动化设备中的功率控制模块。其优异的导通特性和热稳定性也使其适用于电动车、无人机和储能系统的电源管理单元。
SiR144DP, FDS6680, IPW044N03L, IRLB8721