TF044AP 时间：2025/9/7 15:55:23 阅读：39

TF044AP是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器以及负载开关等场景。TF044AP采用高性能硅工艺制造，确保在高频开关环境下仍能保持稳定工作，并具备良好的热稳定性和耐用性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：120A（@TC=25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：4.4mΩ（@VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220

特性

TF044AP具有优异的导通性能和开关特性，适用于高效率功率转换系统。其低导通电阻显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件具有高电流承载能力和良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行，不易发生热失效。TF044AP还具备快速开关响应能力，适用于高频开关应用。器件的栅极设计优化了开关损耗，减少了电磁干扰（EMI），提高了系统的可靠性和稳定性。同时，该MOSFET的封装形式（TO-220）具有良好的散热性能，有助于提升整体系统的热管理能力。由于其优异的电气和热性能，TF044AP在工业电源、电动汽车、电池管理系统和高功率LED照明等领域得到了广泛应用。
　　在实际应用中，TF044AP通常与其他MOSFET或驱动IC配合使用，构成半桥或全桥拓扑结构，以实现高效的功率转换。其栅极驱动电压范围较宽（±20V），便于与多种驱动电路兼容。同时，该器件具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或负载突变的情况下保持稳定工作，提升了系统的安全性和可靠性。此外，TF044AP的制造工艺严格遵循东芝的高质量标准，确保了器件的一致性和长寿命，适用于对可靠性要求较高的工业和汽车应用。