类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：450V
　　最大栅源电压 Vgs：±20V
　　最大连续漏极电流 Id（在 25°C 下）：11A
　　导通电阻 Rds(on)：0.36Ω（典型值）
　　最大功耗 Pd：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220AB
　　导通延迟时间 td(on)：10ns（典型值）
　　上升时间 tr：40ns（典型值）
　　导通截止时间 td(off)：35ns（典型值）
　　下降时间 tf：20ns（典型值）

IXTH11P45 MOSFET 采用了先进的平面技术，具有较低的导通电阻和开关损耗。其高耐压能力使其适用于中高功率转换系统。该器件具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，并具有较强的过载承受能力。此外，IXTH11P45 的封装设计有助于快速散热，提高整体系统的可靠性和寿命。该器件的栅极驱动电压范围宽，支持灵活的驱动电路设计。
　　该MOSFET的结构优化了开关性能，降低了开关过程中的能量损耗，使其适用于高频开关应用。此外，其内部寄生二极管具有良好的反向恢复特性，能够有效减少开关噪声和电磁干扰。该器件的高可靠性设计使其适用于严苛工业环境下的长期运行。

IXTH11P45 广泛应用于各种电源管理系统，包括工业电源、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电机驱动器、DC-DC转换器、功率因数校正（PFC）电路以及各类中高功率开关电源。此外，它也适用于电池管理系统、负载开关控制、电焊设备、工业自动化控制系统以及消费类电子产品中的高功率部分。

IXTH11P45S, IXTP14P45, IRF840, FQA11N45C