时间：2025/4/27 8:47:02
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DS1230Y-70IND 是一款由 Maxim Integrated 生产的非易失性静态随机存取存储器 (NVSRAM)。该芯片结合了高速 SRAM 和非易失性铁电存储器 (FRAM) 的特性，能够在断电时自动保存数据，无需额外的电池或超级电容支持。
这款芯片广泛应用于需要高可靠性、快速写入和长期数据保存的工业、医疗和通信设备中。
容量：32K x 8 bits
接口：并行接口
工作电压：4.5V 至 5.5V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：32 引脚 SOIC
存取时间：70ns
非易失性：断电后数据可保存超过10年
写入次数：高达10^12次
DS1230Y-70IND 具有高速存取能力，其存取时间为 70 纳秒，适用于需要实时数据处理的应用场景。
该芯片内置了非易失性存储单元，当主电源断开时，数据会自动转移到非易失性存储区域，确保数据完整性。
此外，它还具有低功耗特性，在待机模式下的电流消耗极低，适合对功耗敏感的设备使用。
由于其高耐久性和长寿命特点，该芯片非常适合频繁写入操作的环境，例如数据记录仪、仪表系统和嵌入式控制器等。
DS1230Y-70IND 常用于需要可靠数据保护和频繁数据更新的场景，如工业自动化控制中的数据日志记录、医疗设备中的患者信息存储以及通信系统中的配置参数保存。
具体应用包括但不限于：
- 数据采集与监控系统
- 医疗器械，例如监护仪和分析仪
- 电力计量设备
- 航空航天领域
- 防护等级较高的安全模块
该芯片的高可靠性使得它成为关键任务系统的理想选择。
DS1230Y-100IND
DS1230Y-50IND
