IXTH11N80 时间：2025/8/6 9:47:54 阅读：12

IXTH11N80 是一款由 Littelfuse（前身为 IXYS）制造的高电压 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高功率、高效率的应用，如电源、电机控制、DC-DC 转换器和逆变器等。IXTH11N80 具有低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关特性，能够承受较高的漏源电压（最大 800V），适用于中高功率级别的开关电路。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：800 V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30 V
　　最大漏极电流(Id)：11 A
　　导通电阻(Rds(on))：最大 0.44 Ω @ Vgs = 10 V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXTH11N80 MOSFET 的主要特性之一是其优异的导通性能和低导通损耗，这主要得益于其相对较低的 Rds(on) 值（最大 0.44 Ω）。这种特性使得器件在高电流工作条件下仍能保持较低的功耗，从而提升整体系统的效率并减少散热需求。
　　此外，该器件具有高击穿电压（800V）和良好的热稳定性，使其适用于高压应用环境，如工业电源、光伏逆变器和电机驱动器等。其 TO-247 封装形式也增强了散热能力，适合高功率密度设计。
　　IXTH11N80 的栅极驱动特性较为友好，驱动功率要求较低，能够与常见的 MOSFET 驱动器兼容。其快速开关能力（开关时间在几十纳秒级别）有助于减少开关损耗，提高系统的工作频率，从而实现更紧凑的设计。
　　该器件还具备较高的耐用性和抗雪崩能力，能够在瞬态过压或过流条件下提供一定的安全裕度。这种特性使其在可靠性要求较高的工业和电力电子系统中具备优势。

应用

IXTH11N80 MOSFET 广泛应用于需要高电压和中等功率处理能力的电路中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机控制电路、逆变器、不间断电源（UPS）以及光伏（太阳能）逆变系统等。
　　在电源设计中，IXTH11N80 可作为主开关元件，用于实现高效的能量转换。在电机控制和逆变器应用中，其快速开关特性有助于提高控制精度和系统响应速度。此外，该器件也适用于需要高可靠性的工业自动化和电力调节系统。
　　由于其高耐压特性和良好的热性能，IXTH11N80 在高压电源和功率因数校正（PFC）电路中也有广泛应用。它能够有效地处理高电压输入，同时保持较低的传导损耗，适用于 600V~800V 的输入电压范围。