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IXTH110N25T 发布时间 时间:2023/3/6 13:48:23 查看 阅读:446

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:-

    

目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:-

    FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 特点:标准型

    开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:24 毫欧 @ 500mA, 10V

    漏极至源极电压(Vdss):250V

    电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:110A

    Id 时的 Vgs(th)(最大):4.5V @ 1mA

    闸电荷(Qg) @ Vgs:157nC @ 10V

    在 Vds 时的输入电容(Ciss) :9400pF @ 25V

    功率 - 最大:694W

    安装类型:通孔

    封装/外壳:TO-247

    包装:管件

    供应商设备封装:*


资料

厂商
IXYS

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IXTH110N25T参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)250V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C110A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C24 毫欧 @ 55A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs157nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds9400pF @ 25V
  • 功率 - 最大694W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247
  • 包装管件