IXTH10P50 时间：2025/8/6 9:16:36 阅读：19

IXTH10P50 是一款由 Littelfuse（前身为 IXYS）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率功率转换应用而设计，具有低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性。IXTH10P50 采用 TO-247 封装，适合用于开关电源、电机驱动、逆变器以及工业自动化设备等场合。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：500V
　　最大漏极电流 Id（连续）：10A
　　最大栅源电压 Vgs：±20V
　　导通电阻 Rds(on)：典型值为 0.48Ω（最大 0.6Ω）
　　功率耗散 Pd：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装：TO-247

特性

IXTH10P50 MOSFET 具备一系列优异的电气和热性能，使其在多种功率应用中表现出色。其高耐压能力（500V）和中等电流容量（10A）使其适用于中等功率的开关应用。该器件的低导通电阻降低了导通损耗，从而提高了整体效率。此外，IXTH10P50 设计有较高的热稳定性，能够在高功率耗散条件下保持良好的性能，TO-247 封装提供了良好的散热能力。
　　该 MOSFET 还具备快速开关特性，减少了开关损耗，并允许在高频应用中使用。其栅极驱动要求相对较低，兼容标准的 10V 驱动电路。器件内部的结构优化减少了寄生电容，从而提升了高频响应能力。此外，IXTH10P50 具有较高的抗雪崩能力，增强了器件在高压瞬态条件下的可靠性。
　　该器件的可靠性在工业级温度范围内得到了验证，可在严苛环境下稳定工作。其封装材料符合 RoHS 标准，适用于环保要求较高的应用。

应用

IXTH10P50 广泛应用于多种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机控制、逆变器、照明镇流器、工业自动化设备以及电池管理系统等。由于其高耐压和中等电流能力，它特别适合于需要中等功率开关能力的场合，如小型逆变器、功率因数校正电路（PFC）以及高电压负载的控制电路。此外，该器件也可用于高侧开关、电源管理模块以及工业电机驱动器的桥式电路中。