时间：2025/9/2 0:14:08
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HYG800P10LR1D 是一款由Hyundai Electronics（现为SK Hynix）推出的功率MOSFET器件，主要用于高功率密度和高效率的电源转换应用。该型号属于N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适用于DC-DC转换器、同步整流、电源管理系统等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：80A
导通电阻（RDS(on)）：≤10mΩ（典型值）
封装形式：TO-263（D2Pak）
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
HYG800P10LR1D MOSFET具备多项优良特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统的效率。其次，该器件采用了先进的沟槽栅技术，确保了良好的热稳定性和开关性能。此外，TO-263封装提供了良好的散热能力，有助于在高电流条件下保持较低的温升。
该MOSFET具有较高的电流承载能力和热稳定性，能够在高负载条件下可靠运行。其±20V的栅极耐压能力增强了抗电压波动的能力，提高了系统在恶劣环境下的稳定性。同时，该器件的开关速度较快，适合高频开关应用，如DC-DC转换器和同步整流器，从而减小外围电路的尺寸并提高功率密度。
在可靠性方面，HYG800P10LR1D设计有内置的体二极管，能够承受较高的反向恢复能量，适用于高能效的开关电源系统。其封装设计也符合RoHS环保标准，适用于现代电子设备的绿色制造要求。
HYG800P10LR1D MOSFET广泛应用于各类电源管理系统和功率转换设备中。常见的应用包括同步整流型DC-DC转换器、服务器电源、通信电源模块、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路以及负载开关控制等。其高电流容量和低导通电阻使其成为高功率密度设计的理想选择。此外，该器件也适用于汽车电子系统中的电源管理模块，支持车载充电系统、启停电源以及LED照明驱动电路等应用场景。
IRF1404, SiR882DP, IPP080N10N3G, FDP80N10
