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MT18B473K500CT 发布时间 时间:2025/6/17 14:09:19 查看 阅读:4

MT18B473K500CT 是一款由 Micron Technology 生产的 DRAM 内存芯片,主要应用于需要高容量存储和快速数据处理的设备中。该型号属于 DDR3L(Low Voltage)系列,工作电压为 1.35V,提供较低功耗的同时保持了高性能。它广泛用于笔记本电脑、嵌入式系统和其他对低功耗有要求的应用场景。

参数

类型:DRAM
  系列:DDR3L-RS
  容量:4Gb (512M x 8)
  组织方式:x8
  电压:1.35V
  速度:1600Mbps
  封装形式:FBGA
  引脚数:96-ball
  工作温度范围:0°C 至 +85°C
  数据宽度:8位
  时钟周期:1.25ns

特性

MT18B473K500CT 具备 DDR3L 技术带来的高效性能,其核心特性包括低功耗运行和高带宽传输能力。它采用 FBGA 封装,确保了良好的电气特性和机械稳定性。
  该芯片支持突发长度为 8 的操作,并且能够以 1600Mbps 的速率传输数据,使得在多任务处理或大数据量需求的情况下表现优异。
  此外,该芯片内置了自动刷新和自定时自刷新功能,有助于减少外部控制器的负担并优化功耗表现。
  其 1.35V 的低工作电压设计非常适合移动设备或任何需要节能的应用环境。

应用

MT18B473K500CT 广泛应用于各类需要大容量和高速内存的电子设备中,包括但不限于:
  1. 笔记本电脑及超极本
  2. 嵌入式计算平台
  3. 工业自动化控制系统
  4. 网络通信设备
  5. 医疗成像设备
  6. 游戏主机等消费类电子产品
  这款芯片凭借其低功耗和高性能的特点,特别适合移动设备和对能耗敏感的场景。

替代型号

MT18B4G32HZ-083E1, H5TC4G63AFR-PBA, MT18B4G32HZ-083IT

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MT18B473K500CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.13984卷带(TR)
  • 系列MT
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.047 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.037"(0.95mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-