IXTH10N90 时间：2025/8/5 21:56:23 阅读：32

IXTH10N90 是由 Littelfuse（原IXYS）生产的一款高耐压、大功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高电压、高频率和高效率的开关应用设计，广泛用于电源转换、电机控制、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器以及工业控制系统等领域。IXTH10N90 具有良好的导通电阻与开关损耗平衡，能够在高电压下提供稳定的性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：900V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：10A（在Tc=25℃时）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值0.72Ω（最大0.85Ω）
　　最大功耗(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-247

特性

IXTH10N90 MOSFET 采用了先进的高压沟槽栅技术，具有优异的开关特性和热稳定性。其导通电阻（Rds(on)）在900V电压下仍保持在较低水平，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。
　　该器件具备良好的抗雪崩能力，能够承受高能量的瞬态过电压，适用于需要高可靠性的工业和电源应用。此外，IXTH10N90 的栅极设计优化了驱动性能，降低了开关损耗，使其在高频开关应用中表现优异。
　　由于其高耐压能力和稳定的热性能，IXTH10N90 可用于高压DC-DC转换器、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动器和逆变器系统中。该器件的 TO-247 封装形式具有良好的散热性能，便于安装和散热管理，适用于高功率密度的设计场景。

应用

IXTH10N90 主要用于以下应用领域：
　　1. 高压电源转换器：包括DC-DC转换器、AC-DC电源模块和高压开关电源系统，适用于通信设备、工业自动化设备和测试仪器。
　　2. 功率因数校正（PFC）：在开关电源前端电路中用于提高电源的功率因数，减少电网谐波污染。
　　3. 电机控制和逆变器：用于交流电机驱动器、无刷直流电机控制以及太阳能逆变器中的高频开关部分。
　　4. UPS（不间断电源）系统：作为主开关元件用于DC-AC逆变电路中，确保电源系统的稳定输出。
　　5. 工业控制系统：如变频器、高频感应加热设备以及高压负载开关控制电路。