时间：2025/11/3 23:03:48
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CY14E116L-ZS25XI是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的高级非易失性静态随机存取存储器（NVSRAM）芯片。该器件结合了高速SRAM的性能优势和非易失性存储的持久性，能够在系统断电时自动将SRAM中的数据保存到内部集成的非易失性存储阵列中，并在上电时恢复这些数据。这种独特的功能使得CY14E116L-ZS25XI非常适合用于需要高可靠性、实时数据保护和快速读写能力的应用场景。该芯片采用16Mbit（2M x 8位）的组织结构，支持标准的并行接口协议，兼容通用SRAM时序，便于在现有系统中进行替换和升级。器件内置锂电池替代技术（Battery-Free Solution），通过外部电容供电实现数据存储过程，避免了传统电池供电NVSRAM中存在的漏液、寿命短和环境不友好等问题，提高了系统的长期稳定性和维护便利性。CY14E116L-ZS25XI广泛应用于工业控制、通信设备、医疗仪器、金融终端和航空航天等领域，尤其适用于那些对数据完整性要求极高且无法接受突发断电导致数据丢失的关键系统。
容量：16 Mbit
组织方式：2M x 8
工作电压：3.3V ± 0.3V
访问时间：25 ns
封装类型：SOIC-44
接口类型：并行异步
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
写保护功能：硬件WP引脚支持
自定时存储操作：支持
存储耐久性：超过20万次存储周期
数据保持时间：超过20年（典型值）
电源管理：支持低功耗CMOS工艺
存储触发方式：软命令、硬件STORE、POWER DOWN检测
CY14E116L-ZS25XI的核心特性之一是其基于量子隧道技术（Quantum Tunneling Technology）的非易失性存储机制，该技术取代了传统的锂电池方案，实现了真正的免电池设计。在系统正常运行时，芯片作为标准的高速SRAM使用，具备25ns的快速访问时间，能够满足高性能嵌入式系统对实时数据处理的需求。当检测到电源电压下降至预设阈值以下时，器件会自动启动存储序列，利用外部连接的储能电容提供的能量，将SRAM中的关键数据安全地复制到内部的非易失性存储单元中。整个存储过程完全自动化，无需处理器干预，确保即使在突发断电情况下也能可靠保存数据。
此外，该器件支持多种存储触发模式，包括由外部信号控制的硬件STORE引脚触发、由电源监控电路检测到VCC跌落而自动触发的POWER DOWN模式，以及通过特定软件指令序列触发的软命令存储。这种灵活性允许用户根据具体应用场景选择最合适的存储策略。CY14E116L-ZS25XI还集成了写保护功能，防止在电源不稳定期间发生误写操作，从而进一步增强数据完整性。器件采用先进的CMOS工艺制造，具有低静态电流和动态功耗，适合用于功耗敏感型应用。所有引脚均符合JEDEC标准，具备良好的抗噪能力和信号完整性，可在恶劣电磁环境中稳定运行。其SOIC-44封装形式既保证了足够的引脚间距以方便PCB布局，又提供了较高的集成度，适用于空间受限但要求高可靠性的工业级设备。
CY14E116L-ZS25XI常被用于各类需要持续数据记录与即时恢复能力的工业和商业系统中。例如，在工业自动化控制系统中，它可用于保存PLC程序状态、传感器校准数据或设备运行日志，确保在意外断电后能迅速恢复生产流程。在电信基础设施中，该芯片可用于基站控制器或交换机中缓存配置信息和网络状态参数，保障通信服务的连续性。金融终端如POS机和ATM也广泛采用此类NVSRAM来保存交易记录和安全密钥，防止因电力故障导致交易数据丢失或产生账目错误。医疗设备如监护仪和影像系统使用CY14E116L-ZS25XI来存储患者治疗参数和操作历史，确保临床数据的安全与合规。此外，在测试测量仪器和航空航天电子系统中，该器件为关键任务数据提供了可靠的存储解决方案，满足严格的环境适应性和长期稳定性要求。由于其免维护特性和长寿命设计，CY14E116L-ZS25XI已成为替代传统带电池SRAM的理想选择，推动了绿色电子和可持续设计理念的发展。
CY14E116L-ZS20XI
CY14E116L-ZS35XI
CY14MB116QN-ZS45XIT
