IXTH10N60 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛用于高电压和高电流应用。该器件采用了先进的平面技术,提供了卓越的性能和可靠性,适用于电源、电机控制、照明系统以及工业自动化设备。IXTH10N60 设计用于在高达 600V 的漏源电压下工作,同时具有较低的导通电阻(Rds(on))和快速的开关特性,使其在功率转换效率方面表现出色。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds):600V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):10A
导通电阻(Rds(on)):0.68Ω(典型值)
功耗(Pd):125W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:TO-247
IXTH10N60 具备一系列优秀的电气和热性能特性。其导通电阻 Rds(on) 仅为 0.68Ω,这在高电流条件下可以显著降低导通损耗,提高整体效率。该器件采用了先进的平面 MOSFET 工艺,具有出色的开关速度和低门极电荷(Qg),从而减少了开关损耗并提高了系统响应速度。此外,IXTH10N60 还具备良好的热稳定性,能够在高温环境下保持稳定工作,并且具有较高的雪崩能量耐受能力,确保了在瞬态过载情况下的可靠性。该器件的封装形式为 TO-247,具有良好的散热性能,适用于高功率密度设计。
另一个显著特点是其栅极驱动的兼容性,IXTH10N60 的栅源电压范围为 ±20V,可以与常见的驱动电路兼容,简化了设计过程。其低阈值电压(Vgs(th))也确保了在较低的控制电压下仍能实现完全导通,进一步提升了能效和控制精度。
IXTH10N60 被广泛应用于多种高功率电子系统中,包括开关电源(SMPS)、电机驱动器、照明控制系统(如 HID 灯镇流器)、逆变器以及工业自动化设备。由于其高耐压能力和良好的导通性能,该器件也常用于直流-直流(DC-DC)转换器和不间断电源(UPS)系统。此外,IXTH10N60 在新能源应用中也有重要地位,例如太阳能逆变器和电动汽车充电设备中,能够提供高效、可靠的功率控制解决方案。
IRF840, FDPF10N60, STP10NK60Z