IXTH10N60 时间：2025/8/6 7:00:57 阅读：38

IXTH10N60 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于高电压和高电流应用。该器件采用了先进的平面技术，提供了卓越的性能和可靠性，适用于电源、电机控制、照明系统以及工业自动化设备。IXTH10N60 设计用于在高达 600V 的漏源电压下工作，同时具有较低的导通电阻（Rds(on)）和快速的开关特性，使其在功率转换效率方面表现出色。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：10A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.68Ω（典型值）
　　功耗（Pd）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXTH10N60 具备一系列优秀的电气和热性能特性。其导通电阻 Rds(on) 仅为 0.68Ω，这在高电流条件下可以显著降低导通损耗，提高整体效率。该器件采用了先进的平面 MOSFET 工艺，具有出色的开关速度和低门极电荷（Qg），从而减少了开关损耗并提高了系统响应速度。此外，IXTH10N60 还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定工作，并且具有较高的雪崩能量耐受能力，确保了在瞬态过载情况下的可靠性。该器件的封装形式为 TO-247，具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
　　另一个显著特点是其栅极驱动的兼容性，IXTH10N60 的栅源电压范围为 ±20V，可以与常见的驱动电路兼容，简化了设计过程。其低阈值电压（Vgs(th)）也确保了在较低的控制电压下仍能实现完全导通，进一步提升了能效和控制精度。

应用

IXTH10N60 被广泛应用于多种高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、电机驱动器、照明控制系统（如 HID 灯镇流器）、逆变器以及工业自动化设备。由于其高耐压能力和良好的导通性能，该器件也常用于直流-直流（DC-DC）转换器和不间断电源（UPS）系统。此外，IXTH10N60 在新能源应用中也有重要地位，例如太阳能逆变器和电动汽车充电设备中，能够提供高效、可靠的功率控制解决方案。