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IRFSL4410ZPBF 发布时间 时间:2023/3/7 14:16:25 查看 阅读:406

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:HEXFET?

    

目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:HEXFET?

    FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 特点:逻辑电平门

    开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:9 毫欧 @ 58A, 10V

    漏极至源极电压(Vdss):100V

    电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:97A

    Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 150μA

    闸电荷(Qg) @ Vgs:120nC @ 10V

    在 Vds 时的输入电容(Ciss) :4820pF @ 50V

    功率 - 最大:230W

    安装类型:通孔

    封装/外壳:TO-262-3(直引线)

    包装:管件

    供应商设备封装:TO-262


资料

厂商
Infineon Technologies

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IRFSL4410ZPBF产品

IRFSL4410ZPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C97A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9 毫欧 @ 58A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 150µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs120nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4820pF @ 50V
  • 功率 - 最大230W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
  • 供应商设备封装TO-262
  • 包装管件