时间：2025/8/6 10:15:16
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IXTH102N15T 是一款由 Littelfuse（原IXYS公司）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率、高功率密度的电源应用而设计，适用于诸如电源转换器、电机控制、逆变器和DC-DC转换器等应用场景。该MOSFET采用了先进的技术，具有低导通电阻、高耐压和优异的热性能，适用于各种高功率工业和汽车电子应用。
型号：IXTH102N15T
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：102A
最大漏-源电压（VDS）：150V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值 7.8mΩ（典型值 6.5mΩ）
功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-264
IXTH102N15T 功率MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术和优化的芯片设计，提供了非常低的导通电阻（RDS(on)），从而显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。其最大漏-源电压为150V，使其适用于中高功率应用，如DC-DC转换器、逆变器和电机驱动器。
该器件具有出色的热性能，采用TO-264封装，能够有效散热，确保在高负载条件下依然保持稳定运行。此外，其最大栅-源电压为±20V，允许使用标准的栅极驱动电路进行控制，兼容性强。
IXTH102N15T 的最大漏极电流可达102A，在连续工作条件下具有良好的稳定性，适用于要求高电流承载能力的应用。其封装设计也便于安装散热片，进一步提升散热能力。
该MOSFET的工作温度范围宽广（-55°C至+175°C），适用于严苛环境下的工业和汽车电子系统。其高可靠性和长寿命也使其成为许多高要求应用中的首选器件。
IXTH102N15T 主要用于高功率密度和高效率要求的电力电子系统中。常见应用包括：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制器、电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和汽车电子系统中的功率控制模块。
在电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中，该器件可用于电机驱动、车载充电器和DC-DC转换器模块，提供高效、稳定的功率控制能力。此外，在工业自动化设备中，它也可用于驱动大功率负载，如继电器、电磁阀和高功率LED照明系统。
由于其高电流能力和低导通电阻特性，IXTH102N15T 也广泛用于并联功率转换器设计，以实现更高的输出功率和更优的热管理性能。
IXFN110N15T, IRFP4468PBF, SPW47N60CFD7, IXTH90N15T
