时间：2025/8/6 7:21:13
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IXTH100N25是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电流、高电压应用设计。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）和快速开关特性，适用于需要高效能和高可靠性的电源系统。
类型：MOSFET（N沟道）
最大漏极电流（ID）：100A
最大漏源电压（VDS）：250V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大0.032Ω
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-247
IXTH100N25的主要特性包括极低的导通电阻，有助于减少功率损耗和提高效率；高耐压能力，使其能够在高电压环境下稳定运行；快速开关速度，减少开关损耗并提高系统响应速度；具备较高的热稳定性和可靠性，适用于苛刻的工业环境。
此外，该MOSFET采用了先进的制造工艺，确保了良好的线性工作区，适用于线性稳压器、电机控制、DC-DC转换器和不间断电源（UPS）等应用。其TO-247封装形式提供了良好的散热性能，便于在高功率应用中使用。
IXTH100N25广泛应用于各种高功率电子设备中，如工业电源、电机驱动、太阳能逆变器、电池充电器、电源管理模块以及测试设备等。其优异的电气性能和稳定性也使其成为电动汽车（EV）充电系统、工业自动化设备和高频电源转换器的理想选择。
IRF1405, FDP100N25, STP100N25
