时间：2025/5/10 9:55:37
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BH29PB1WHFV-TR 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，广泛应用于电源管理、开关电路和功率转换等领域。该型号采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，适合高效能的应用场景。此外，其封装形式为 SOT-23，具有体积小、易于安装的特点。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：1.4A
导通电阻：0.065Ω
总电荷量：12nC
功耗：0.47W
工作温度范围：-55℃至150℃
BH29PB1WHFV-TR 具备以下显著特性：
1. 低导通电阻：能够有效减少导通损耗，提高系统效率。
2. 快速开关性能：较低的总电荷量确保了更快的开关速度，从而减少开关损耗。
3. 小型化设计：采用 SOT-23 封装，节省 PCB 空间，适用于对空间要求严格的设备。
4. 高可靠性：支持较宽的工作温度范围，可适应各种严苛环境。
5. 优异的热性能：优化的散热设计有助于稳定运行。
该型号主要应用于以下领域：
1. 开关电源中的同步整流电路。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电池保护电路中的负载开关。
4. 消费电子产品的功率管理模块。
5. 各类小型化设备中的信号切换控制。
BH29PB1WHFV-TR 的高效率和紧凑设计使其成为便携式电子产品和工业应用的理想选择。
AO3400A
IRLML6401
FDD8880
BSS138
