类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压(Vds)：600V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)：24A
　　导通电阻(Rds(on))：最大 0.22Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247

IXSH24N60AUI 的主要特性之一是其优化的导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高整体效率。该器件的高栅极电荷（Qg）设计使其在高频开关应用中表现出色，同时保持较低的开关损耗。此外，IXSH24N60AUI 具有良好的热阻特性，能够有效散热，确保在高温环境下稳定运行。其坚固的封装设计和高耐压能力使其适用于各种恶劣的工作条件。
　　另一个显著特点是该 MOSFET 的短路耐受能力，这在某些突发故障情况下可以保护器件免受损坏。此外，IXSH24N60AUI 还具有较低的反向恢复电荷（Qrr），这对于减少整流器中的开关损耗非常重要。其快速的开关性能也有助于提高系统效率并减少外部元件的需求，从而简化电路设计。

IXSH24N60AUI 主要应用于电源管理系统、电机控制、开关电源（SMPS）、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及工业自动化设备等。在这些应用中，该 MOSFET 能够提供高效率和高可靠性，帮助设计人员实现更小的电路板空间占用和更高效的能量转换。由于其高耐压能力和大电流处理能力，它也常用于高功率密度设计中，如电动汽车充电系统和工业变频器。
　　在开关电源中，IXSH24N60AUI 可用于主开关或同步整流器拓扑中，以提高转换效率并减少热量产生。在电机控制应用中，该器件可以用于实现精确的电流控制和高效的功率转换。此外，在太阳能逆变器中，IXSH24N60AUI 常用于 DC-AC 转换级，以确保高效的能量转换和稳定的输出波形。

STP24N60M5, FQA24N60, IRFP460LC