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PTH05050Y 发布时间 时间:2025/6/3 11:33:02 查看 阅读:5

PTH05050Y 是一款高性能的 N 治 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等需要高效能功率控制的场景。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提升电路效率并减少能量损耗。
  PTH05050Y 的封装形式为 TO-220,这种封装具有良好的散热性能,适合大功率应用场景。此外,它支持高频率操作,使其非常适合现代电子设备中的功率管理需求。

参数

型号:PTH05050Y
  类型:N 治 MOSFET
  最大漏源电压 (Vds):50 V
  最大栅源电压 (Vgs):±20 V
  连续漏极电流 (Id):50 A
  导通电阻 (Rds(on)):4 mΩ(典型值,当 Vgs = 10V 时)
  总功耗:175 W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装:TO-220

特性

PTH05050Y 具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于降低功率损耗,从而提高系统效率。
  2. 快速开关能力,适用于高频应用场合,可有效减少开关损耗。
  3. 高电流承载能力,能够承受高达 50A 的连续漏极电流。
  4. 支持宽泛的工作温度范围,确保在极端环境下的稳定运行好的热性能设计,结合 TO-220 封装,提供出色的散热表现。
  6. 符合 RoHS 标准,满足环保要求。

应用

PTH05050
  1. 开关电源 (SMPS),包括 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
  2. 电机驱动与控制,例如无刷直流电机 (BLDC) 和步进电机。
  3. 太阳能逆变器和储能系统。
  4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. 汽车电子系统,如启动马达和电动助力转向系统 (EPS)。
  6. 各类负载开关和保护电路。

替代型号

IRF540N
  STP55NF06L
  FDP55N06L

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