时间：2025/6/3 11:33:02
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PTH05050Y 是一款高性能的 N 治 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等需要高效能功率控制的场景。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提升电路效率并减少能量损耗。
PTH05050Y 的封装形式为 TO-220，这种封装具有良好的散热性能，适合大功率应用场景。此外，它支持高频率操作，使其非常适合现代电子设备中的功率管理需求。
型号：PTH05050Y
类型：N 治 MOSFET
最大漏源电压 (Vds)：50 V
最大栅源电压 (Vgs)：±20 V
连续漏极电流 (Id)：50 A
导通电阻 (Rds(on))：4 mΩ（典型值，当 Vgs = 10V 时）
总功耗：175 W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装：TO-220
PTH05050Y 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低功率损耗，从而提高系统效率。
2. 快速开关能力，适用于高频应用场合，可有效减少开关损耗。
3. 高电流承载能力，能够承受高达 50A 的连续漏极电流。
4. 支持宽泛的工作温度范围，确保在极端环境下的稳定运行好的热性能设计，结合 TO-220 封装，提供出色的散热表现。
6. 符合 RoHS 标准，满足环保要求。
PTH05050
1. 开关电源 (SMPS)，包括 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 电机驱动与控制，例如无刷直流电机 (BLDC) 和步进电机。
3. 太阳能逆变器和储能系统。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 汽车电子系统，如启动马达和电动助力转向系统 (EPS)。
6. 各类负载开关和保护电路。
IRF540N
STP55NF06L
FDP55N06L
