时间：2025/12/25 7:54:41
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IXTH02N250是一款由Littelfuse（原IXYS公司）制造的高压功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压和高功率应用。该器件采用TO-247封装，具有较低的导通电阻和较高的击穿电压，适用于电源、逆变器、电机驱动和功率因数校正等电路。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：2500V
最大漏极电流（ID）：2A
导通电阻（RDS(on)）：2.5Ω（最大）
栅极电荷（Qg）：130nC
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-247
IXTH02N250具有优异的高压性能，其漏源击穿电压高达2500V，使其适用于需要高电压隔离的工业和电力电子设备中。该器件的导通电阻为2.5Ω，尽管相对较高，但在高压应用中仍能提供良好的效率表现。其栅极电荷为130nC，适合用于高频开关应用，有助于降低开关损耗。
此外，IXTH02N250具备良好的热稳定性和耐用性，能够在-55°C至150°C的宽温度范围内稳定工作，适应各种恶劣环境条件。TO-247封装形式也便于安装和散热管理，提高了器件在高功率应用中的可靠性。
该MOSFET采用先进的制造工艺，确保了在高电压工作下的稳定性和长期耐用性。适用于需要高压开关能力的电源转换系统，如开关电源（SMPS）、高压逆变器、不间断电源（UPS）和工业电机控制等应用场景。
IXTH02N250广泛应用于高压电力电子系统中，包括高压开关电源、直流-直流转换器、逆变器、不间断电源（UPS）、工业电机控制以及功率因数校正电路等。其高耐压特性和稳定的电气性能使其成为高压电源转换和控制的理想选择。
IXTH04N250, IXTH06N250
