时间：2025/8/6 3:06:29
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IXTF1N250是一款由IXYS公司生产的高电压、高频场效应晶体管（MOSFET），采用TO-220封装。该器件专为高功率、高频率开关应用而设计，适用于电力电子变换器、电源供应器、电机驱动和工业控制系统等领域。IXTF1N250具备较高的击穿电压和较低的导通电阻，能够在恶劣工作环境下稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电压(Vdss)：250V
最大栅极电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：1.0A
最大功耗(Pd)：40W
导通电阻(Rds(on))：1.8Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220
IXTF1N250具备多项优良特性，适合高性能开关应用。其最大漏极电压为250V，能够承受较高的电压应力，适用于中高功率电源转换器和工业控制设备。该器件的导通电阻典型值为1.8Ω，在同类产品中表现出较低的导通损耗，有助于提高系统效率。此外，IXTF1N250的栅极驱动电压范围为±20V，具备良好的栅极保护能力，防止过电压损坏器件。
该MOSFET采用TO-220封装，具备良好的散热性能和机械稳定性，适合在空间受限但需要良好热管理的应用中使用。IXTF1N250的工作温度范围为-55°C至+150°C，能够在极端温度条件下稳定运行，适用于工业级和汽车电子等对可靠性要求较高的环境。
IXTF1N250广泛应用于多种高功率、高频电子系统中。主要应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、功率因数校正电路、电机驱动器、逆变器、工业自动化控制系统以及照明电源等。该器件的高耐压和低导通电阻特性使其在需要高效能和高可靠性的电力电子设备中表现出色。此外，IXTF1N250也适用于高频电源变换器和电池充电器等应用。
STP1N250, IRF540N, FDPF1N250
